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產(chǎn)品：RT10a115xe直流電源模塊

原廠家：潤(rùn)海通科技

價(jià)格：商榷

RT10a115xe直流電源模塊充電模塊性能參數(shù)

2.4.1 環(huán)境要求

充電模塊環(huán)境要求見下表：

表2-4 充電模塊環(huán)境要求

2.4.2 輸入特性

充電模塊輸入特性見下表：

表2-5 充電模塊輸入特性

2.4.3輸出特性

充電模塊輸出特性見下表：

表2-6 充電模塊輸出特性

2.4.4其他特性

1）機(jī)械參數(shù)

模塊外形尺寸（長(zhǎng)*寬*高）：315mm*178mm*88mm

模塊重量：＜5Kg

2) 音響噪音：＜55dB

3）絕緣電阻：輸入端、輸出端對(duì)外殼相互之間以及輸入對(duì)輸出之間的絕緣電阻＞10MΩ（試驗(yàn)電壓500Vdc）.

4) 絕緣強(qiáng)度：輸入端、輸出端短接后，在輸入/輸出端與外殼之間施加 50Hz、有效值為2000V的交流電壓1分鐘，無擊穿或飛弧現(xiàn)象。

5）安規(guī)及EMC標(biāo)準(zhǔn)等級(jí)及判定

序號(hào)	項(xiàng)目	標(biāo)準(zhǔn)	標(biāo)準(zhǔn)等級(jí)
1	靜電放電搞擾性要求	GB/T 17626.2-1998表2	Level3 判據(jù)B
2	振蕩波抗擾性要求	GB/T 17626.12-1998 表2	Level3 判據(jù)B
3	傳導(dǎo)輻射干擾	EN55022	Class A
4	快速瞬變電脈沖群抗擾性要求	EB/T17626.4-1998	Level3 判據(jù)B
5	浪涌搞擾性要求	GB/T17616.5-1998	Level3 判據(jù)B
6	由射頻場(chǎng)感應(yīng)引起的傳導(dǎo)騷擾搞擾性要求	GB/T17616.5-1998	Level3 判據(jù)B
7	工頻磁場(chǎng)抗擾性要求	GB/T17616.8-1998	Level4 判據(jù)B
8	阻尼電磁場(chǎng)輻射抗擾度	GB/T17616.10-1998	Level4 判據(jù)B
9	射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度	GB/T17616.3-1998	Level3 判據(jù)B
10	電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓漸變抗擾性要求	IEC61000-4-11	95% 0.5Period 判據(jù)B
			＞30% 25Period 判據(jù)B
			＞90% 250Period 判據(jù)B

表2-7 安規(guī)及EMC標(biāo)準(zhǔn)

5） MTBF＞300,000小時(shí)。

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